F54 顕微式自動膜厚測定システム

F54 顕微式自動膜厚測定システムは、微小領域での高精度な膜厚・光学定数解析機能と自動高速ステージを組み合わせたシステムです。2インチから450mmまでのシリコン基板に対応し、指定したポイントの膜厚、屈折率を、従来では考えられなかったスピードで測定します。
5倍から50倍の対物レンズに対応し、測定スポット径を1μmから100μmまで用途に応じて選択することが出来ます。

主な特徴

光干渉の原理に基づいた膜厚測定機能と自動高速ステージを組み合わせたシステム
5倍から50倍の対物レンズに対応し、測定スポット径を1μmから100μmまで用途に応じて変更可能
2インチから450mmまでのシリコン基板に対応

主な用途

半導体	レジスト、酸化膜、窒化膜、アモルファス/ポリシリコン、研磨後のシリコンウエハー、化合物半導体、ⅬT基板など
フラットパネル	有機膜、ポリイミド、ITO、セルギャップなど

製品ラインナップ

モデル		F54-UV	F54	F54-NIR	F54-EXR	F54-UVX
測定波長範囲		190 – 1100nm	400 – 850nm	950 – 1700nm	400 – 1700nm	190 – 1700nm
膜厚測定範囲	5X	–	20nm – 40μm	40nm – 120μm	20nm – 120μm	–
	10X	–	20nm – 35μm	40nm – 70μm	20nm – 70μm	–
	15X	4nm – 30μm	20nm – 40μm	40nm – 100μm	20nm – 100μm	4nm – 100μm
	50X	–	20nm – 2μm	40nm – 4μm	20nm – 4μm	–
	100X	–	20nm – 1.5μm	40nm – 3μm	20nm – 3μm	–
正確性*		膜厚の±0.2%		膜厚の±0.4%	膜厚の±0.2%
正確性*		1nm	2nm	3nm	2nm	1nm

測定例

シリコンウエハー上の酸化膜・レジストなどの測定が可能です。

シリコン基板上の酸化膜の測定